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Ausscheidungsvorgang von SiC in Silizium



Molekulardynamische Simulation zur Untersuchung des Ausscheidungsvorgangs von SiC in Silizium

Es wird eine Computersimulation entwickelt, die den Ausscheidungsvorgang von SiC in stark kohlenstoffdotiertem kristallinen Silizium beschreibt. Der zum großen Teil noch unverstandene Ausscheidungsvorgang soll dadurch nachvollziehbar und besser kontrollierbar werden. Insbesondere soll durch die Simulation die Kinetik der beim Ausscheidungsvorgang ablaufenden Strukturveränderungen sowohl in der Ausscheidung selbst als auch in deren kristalliner Umgebung einschließlich der Spannungszustände erstmals beobachtbar werden. Mit Hilfe von verfügbaren Potentialen für Silizium und Kohlenstoff aus der Gruppe von Kai Nordlund an der Universität von Helsinki und den weitläufigen Erfahrungen dieser Gruppe im Bereich der Simulation mit diesem Materialsystem wird eine molekulardynamische Simulation erarbeitet. Die per Simulation erzielten Ergebnisse werden mit numerisch auszuwertenden transmissionselektronenmikroskopischen Abbildungen des Si-Gitters in verschiedenen Phasen des Ausscheidungsvorgangs verglichen.

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