Die Ionen-Feinstrahlanlage (FIB) ist ein Instrument, das ein Rasterelektronenmikroskop (REM) mit einem fokussierten Ga-Ionenstrahler kombiniert. Mit dem Ionenstrahl kann durch Ionenimplantation eine lokale Veränderung der strukturellen und damit auch anderen Eigenschaften der Probenoberfläche bewirkt werden. Damit können auch periodische Muster gezeichnet werden, in denen dann z.B. die magnetische Anisotropie verändert wird.

Durch ein Erhöhen der Energie und Fluenz des Ionenstrahls ist auch ein Abtragen der Probenoberfläche im bestrahlten Bereich und anschließende Untersuchung der neu freigelegten Oberfläche möglich. Ein wiederholtes Vorgehen erlaubt dann eine dreidimensionale Rekonstruktion der Probe (FIB-Tomographie), allerdings wird der bestrahlte Bereich der Probe dabei zerstört. Diese Ätztechnik kann auch zur Präparation von dünnen Lamellen zur TEM-Untersuchung benutzt werden.

Druch ein Gaseinlassystem (Gas Inlet System - GIS) kann in der Nähe der bestrahlten Stelle eine Gasatmosphäre erschaffen werden, ohne das generelle Vakuum der Anlage negativ zu beeinflussen. Je nach Energie des Elektronen- oder Ionenstrahls kann damit eine Deposition des eingelassenen Materials oder eine erhöhte Ätzrate an der bestrahlten Stelle erreicht werden. Für die Deposition stehen Pt und SiO_x, für das Ätzen MgSO₄-H₂O zur Verfügung.